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参数目录42478
> IRF640STRRPBF MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
型号:
IRF640STRRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF640STRRPBF PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
130W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263(D2Pak)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
IRF640STRRPBFCT
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